Electrical properties of Pt/SrBi2Ta2O9/HfO2/Si structure for a 1T-type ferroelectric memory

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Electrical properties of Pt/SrBi₂Ta₂O₉/HfO₂/Si structure for a 1T-type ferroelectric memory

著者

和文:	K.Takahashi, B-E.Park, H.Ishiwara.
英文:	K.Takahashi, B-E.Park, H.Ishiwara.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	16th Intern. Sympo. on Integrated Ferroelectrics, Gyeongiu

巻, 号, ページ

No. 11-24-P

出版年月

2004年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文: