Effect of Ferroelectric/HfO<sub>2</sub>/Si Structures on Electrical Properties of Ferroelectric-gate FETs

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Effect of Ferroelectric/HfO₂/Si Structures on Electrical Properties of Ferroelectric-gate FETs

著者

和文:	K.Aizawa, B-E.Park, Y.Kawashima, K.Takahashi, H.Ishiwara.
英文:	K.Aizawa, B-E.Park, Y.Kawashima, K.Takahashi, H.Ishiwara.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Fall Meeting of Mater. Res. Soc. (Sympo. D ; Materials and Processes for Nonvolatile Memories), Boston

巻, 号, ページ

No. D2.9

出版年月

2004年

出版者

和文:
英文:

会議名称

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開催地

和文:
英文: