T2R2 東京科学大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Address of SiO₂-based addtives in Bi₄Ti₃O₁₂ thin films

著者

和文:	K.Kato, H.Ishiwara.
英文:	K.Kato, H.Ishiwara.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Integrated Ferroelectrics

巻, 号, ページ

Vol. 52 pp. 95-102

出版年月

2003年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文:

©2007 Institute of Science Tokyo All rights reserved.