(Bi, Nd)<sub>4</sub>Ti<sub>3</sub>O<sub>12</sub>/HfO<sub>2</sub>/Si(100)構造MFIS型強誘電体メモリの特性評価 | T2R2 東京科学大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	(Bi, Nd)₄Ti₃O₁₂/HfO₂/Si(100)構造MFIS型強誘電体メモリの特性評価
英文:

著者

和文:	田渕良志明, 朴炳垠, 會澤康治, 川島良仁, 高橋憲弘, 田村哲朗, 鉾宏真, 加藤一実, 有本由弘, 石原宏.
英文:	田渕良志明, 朴炳垠, 會澤康治, 川島良仁, 高橋憲弘, 田村哲朗, 鉾宏真, 加藤一実, 有本由弘, 石原宏.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	第65回応用物理学会学術講演会
英文:

巻, 号, ページ

No. 4a-Y-9

出版年月

2004年

出版者

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会議名称

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開催地

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英文:

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