Radical-Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>/高誘電率バッファー層を用いたMFIS－FETの作製と評価 | T2R2 東京科学大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	Radical-Si₃N₄/高誘電率バッファー層を用いたMFIS－FETの作製と評価
英文:

著者

和文:	タンブンイー, 井関邦江, 大木博, 藤崎芳久, 石原宏.
英文:	タンブンイー, 井関邦江, 大木博, 藤崎芳久, 石原宏.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	第51回応用物理学関連連合講演会
英文:

巻, 号, ページ

No. 31ｐ-ZL-3

出版年月

2004年

出版者

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会議名称

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開催地

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英文:

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