Fabrication and Charactarization of 4H-SiC MOSFET with MOCVD-grown Al2O3 Gate Insulator

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Fabrication and Charactarization of 4H-SiC MOSFET with MOCVD-grown Al2O3 Gate Insulator

著者

和文:	日野史郎, 畑山智裕, 三浦成久, 大森達夫, 徳光永輔.
英文:	Shiro Hino, Tomohiro Hatayama, Naruhisa Miura, Tatsuo Oomori, Eisuke Tokumitsu.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Materials Science Forum

巻, 号, ページ

Vol. 556-557 pp. 787-790

出版年月

2007年10月

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
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DOI