Optimum ferroelectric film thickness in metal-ferroelectric-insulator -semiconductor structures composed of Pt, (Bi,La)4Ti3O12, HfO2, and Si

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Optimum ferroelectric film thickness in metal-ferroelectric-insulator -semiconductor structures composed of Pt, (Bi,La)₄Ti₃O₁₂, HfO₂, and Si

著者

和文:	K.Takahashi, K.Aizawa, H.Ishiwara.
英文:	K.Takahashi, K.Aizawa, H.Ishiwara.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Jpn. J. Appl. Phys.

巻, 号, ページ

Vol. 45, Part 1 No. 6A pp. 5098-5101

出版年月

2006年6月

出版者

和文:
英文:

会議名称

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開催地

和文:
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