Gowth-mode Alternating Method for High-Quality AlN Layers on Sapphire by Low-Pressure Flow-Modulation MOCVD (TuP1-75)

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Gowth-mode Alternating Method for High-Quality AlN Layers on Sapphire by Low-Pressure Flow-Modulation MOCVD (TuP1-75)

著者

和文:	Misaichi Takeuchi, Hiroshi Shimizu, Koji Kawasaki, Yoshinobu Aoyagi.
英文:	Misaichi Takeuchi, Hiroshi Shimizu, Koji Kawasaki, Yoshinobu Aoyagi.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	The Japan Society of Applied Physics

巻, 号, ページ

Vol. TuP1-75 pp. 424

出版年月

2006年10月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	International Workshop on Nitride Semiconductors 2006

開催地

和文:
英文:	October 22-27, 2006, Kyoto, Japan