MOCVD法によるPrシリケートゲート絶縁膜のN2アニール効果の検討 | T2R2 東京科学大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	MOCVD法によるPrシリケートゲート絶縁膜のN2アニール効果の検討
英文:

著者

和文:	古川亮介, 須藤貴也, 土屋良重, 野平博司, 水田　博, 丸泉琢也, 白木靖寛, 小田俊理.
英文:	古川亮介, 須藤貴也, 土屋良重, 野平博司, 水田　博, 丸泉琢也, 白木靖寛, 小田俊理.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

pp. 31a-P10-1

出版年月

2006年8月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	第67回応用物理学会学術講演会
英文:

開催地

和文:
英文:

©2007 Institute of Science Tokyo All rights reserved.