Si基板上へのInGaAsの成長におけるInPバッファーの有効性 | T2R2 東京科学大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	Si基板上へのInGaAsの成長におけるInPバッファーの有効性
英文:

著者

和文:	星井拓也, 出浦桃子, 七条真人, 杉山正和, 菅原聡, 中野義昭, 高木信一.
英文:	星井拓也, 出浦桃子, 七条真人, 杉山正和, SATOSHI SUGAHARA, 中野義昭, 高木信一.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	第54回応用物理学関係連合講演会
英文:

巻, 号, ページ

p. 30p-Q-4

出版年月

2007年3月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	第54回応用物理学関係連合講演会, 相模原,
英文:

開催地

和文:
英文:

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