Fabrication of III-V-O-I(III-V on Insulator) Structures on Si Using Micro-Channel Epitaxy with a Two-Step Growth Technique

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Fabrication of III-V-O-I(III-V on Insulator) Structures on Si Using Micro-Channel Epitaxy with a Two-Step Growth Technique

著者

和文:	M.Shichijo, R.Nakane, 菅原聡, S.Takagi.
英文:	M.Shichijo, R.Nakane, S.Sugahara, S.Takagi.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	2006 Intl. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2006)

巻, 号, ページ

pp. 1088-1089 paper I-8-1

出版年月

2006年9月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2006 Intl. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2006), Yokohama, Japan,

開催地

和文:
英文: