Effect of Tensile Strain on Gate and Substrate Currents of Strained-Si n-MOSFETs

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Effect of Tensile Strain on Gate and Substrate Currents of Strained-Si n-MOSFETs

著者

和文:	T.Hoshii, S.Sugahara, S.Takagi.
英文:	T.Hoshii, S.Sugahara, S.Takagi.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

pp. paper H-1-3, pp. p164-165

出版年月

2006年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2006 Intl. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2006), Yokohama, Japan,

開催地

和文:
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