Ultrathin Ge-On-Insulator Metal Source/Drain p-Channel MOSFETs Fabricated By Low Temperature Molecular Beam Epitaxy

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Ultrathin Ge-On-Insulator Metal Source/Drain p-Channel MOSFETs Fabricated By Low Temperature Molecular Beam Epitaxy

著者

和文:	T.Uehara, H.Matsubara, 菅原聡, S.Takagi.
英文:	T.Uehara, H.Matsubara, S.Sugahara, S.Takagi.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Jpn. J. Appl. Phys.

巻, 号, ページ

Vol. 46 No. 4B pp. 2117-2121

出版年月

2007年4月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文: