Home >

news ヘルプ

論文・著書情報


タイトル
和文:ひずみSi MOSFETのゲート トンネル電流に与えるひずみの効果 
英文: 
著者
和文: 星井拓也, 菅原聡, 高木信一.  
英文: 星井拓也, 菅原聡, 高木信一.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ         pp. 26a-x-7
出版年月 2006年 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文:第53回応用物理学関係連合講演会, 東京, 
英文: 
開催地
和文: 
英文: 

©2007 Institute of Science Tokyo All rights reserved.