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論文・著書情報


タイトル
和文:ひずみSi p-MOSFETにおける反転層正孔移動度のユニバーサリティ 
英文: 
著者
和文: 武田浩司, 熊谷寛, 西川昌志, 菅原聡, 高木信一.  
英文: 武田浩司, 熊谷寛, 西川昌志, 菅原聡, 高木信一.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ         pp. 31a-P5-26
出版年月 2005年 
出版者
和文: 
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会議名称
和文:第52回応用物理学関係連合講演会, さいたま, 
英文: 
開催地
和文: 
英文: 

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