Improvement of Memory Retention Characteristics in Ferroelectric Neuron Circuits Using a Pt/ SrBi2Ta2O9/Pt/Ti/SiO2/Si Structure-Field Effect Transistor as a Synapse Device

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Improvement of Memory Retention Characteristics in Ferroelectric Neuron Circuits Using a Pt/ SrBi₂Ta₂O₉/Pt/Ti/SiO₂/Si Structure-Field Effect Transistor as a Synapse Device

著者

和文:	尹聖民, 徳光永輔, 石原宏.
英文:	Sung-ming YOON, Eisuke TOKUMITSU, Hiroshi ISHIWARA.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Jpn. J. Appl. Phys.

巻, 号, ページ

Vol. 39 No. 4B pp. 2119-2124

出版年月

2000年4月

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
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DOI