Long time data retention and a mechanism in ferroelectric-gate field effect transistors with HfO<sub>2</sub> buffer layer

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Long time data retention and a mechanism in ferroelectric-gate field effect transistors with HfO₂ buffer layer

著者

和文:	K.Aizawa, Y.Kawashima, H.Ishiwara.
英文:	K.Aizawa, Y.Kawashima, H.Ishiwara.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Mater. Res. Soc. Symp. (Materials and Processes for Nonvolatile Memories) Proc.

巻, 号, ページ

Vol. 830 pp. D2.9.1- D2.9.6

出版年月

2005年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
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