Growth of strained relaxed SiC on Sibuffer layer by Gas-Source MBE

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Growth of strained relaxed SiC on Sibuffer layer by Gas-Source MBE

著者

和文:	H.Ishihara, M.Murano, T.Watahiki, Y.Nakamura, A.Yamada, M.Konagai.
英文:	H.Ishihara, M.Murano, T.Watahiki, Y.Nakamura, A.Yamada, M.Konagai.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Thin Solid Films

巻, 号, ページ

Vol. 508 No. 1-2 pp. 99-102

出版年月

2006年

出版者

和文:
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会議名称

和文:
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開催地

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DOI