A Few Electron Memory Device Based on Surface Nitrided Nanocrystalline Silicon Dots

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	A Few Electron Memory Device Based on Surface Nitrided Nanocrystalline Silicon Dots

著者

和文:	S-Y. Huang, K. Usami, Y. Tsuchiya, H. Mizuta, S. Oda.
英文:	S-Y. Huang, K. Usami, Y. Tsuchiya, H. Mizuta, S. Oda.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

Vol. 24p-X-11

出版年月

2006年3月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	Extended Abstracts (The 53rd Spring Meeting, 2006); The Japan Society of Applied Physics and Related Societies

開催地

和文:
英文:	東京