NEMSメモリデバイスの実現に向けた2層ブリッジ構造体の作製 | T2R2 東京科学大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	NEMSメモリデバイスの実現に向けた2層ブリッジ構造体の作製
英文:

著者

和文:	百々信幸, 永見　佑, 土屋良重, 斎藤慎一, 新井　唯, 嶋田壽一, 水田　博, 小田俊理.
英文:	百々信幸, 永見　佑, 土屋良重, 斎藤慎一, 新井　唯, 嶋田壽一, 水田　博, 小田俊理.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

Vol. 25a-X-2

出版年月

2006年3月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	第53回応用物理学関係連合講演会
英文:

開催地

和文:	東京
英文:

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