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論文・著書情報


タイトル
和文:低温堆積Ａｌ２Ｏ３ｹﾞｰﾄ絶縁膜を用いたＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ 
英文: 
著者
和文: 徳光永輔.  
英文: EISUKE TOKUMITSU.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文:SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 
英文: 
巻, 号, ページ         pp. 37-51
出版年月 2007年7月 
出版者
和文:応用物理学会 
英文: 
会議名称
和文:ＳｉＣ及び関連ワイドギャップ半導体研究会個別討論会「ＳｉＣ ＭＯＳ界面とデバイス」 
英文: 
開催地
和文:ＴＫＰ水道橋会議室 
英文: 

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