Recent progress in ferroelectric memory technology

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Recent progress in ferroelectric memory technology

著者

和文:	H.Ishiwara.
英文:	H.Ishiwara.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	8th Intern. Conf. on Solid-State and Integrated Circuit Technology

巻, 号, ページ

No. C3.8 Proc. Part 2 pp. 713-716

出版年月

2006年10月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	8th Intern. Conf. on Solid-State and Integrated Circuit Technology

開催地

和文:
英文:	Shanghai