Characteristics of MFIS devices using HfSiON buffer layers

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Characteristics of MFIS devices using HfSiON buffer layers

著者

和文:	X-B.Lu, H.Hoko, K.Maruyama, H.Ishiwara.
英文:	X-B.Lu, H.Hoko, K.Maruyama, H.Ishiwara.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	19th Intern. Sympo. on Integrated Ferroelectrics

巻, 号, ページ

Vol. 4B-115-C

出版年月

2007年5月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	19th Intern. Sympo. on Integrated Ferroelectrics

開催地

和文:
英文:	Bordeaux