Perpendicular magnetic tunnel junction with tunneling magnetoresistance ratio of 64% using MgO(100) barrier layer prepared at room temperature

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Perpendicular magnetic tunnel junction with tunneling magnetoresistance ratio of 64% using MgO(100) barrier layer prepared at room temperature

著者

和文:	大森秀人, 羽鳥友哉, 中川茂樹.
英文:	H. Ohmori, T. Hatori, S. Nakagawa.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	J. Appl. Phys.

巻, 号, ページ

Vol. 103 p. 07A911

出版年月

2008年7月

出版者

和文:
英文:	American Institute of Physics

会議名称

和文:
英文:	52nd Magnetism and Magnetic Materials

開催地

和文:
英文:	Tampa / USA

DOI