Effects of Atomic Hydrogen Annealing on Reduction of Leakage Current in Ultrathin Si/Ge/Si-On-Insulator Metal Source/Drain p-Channel MOSFETs

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Effects of Atomic Hydrogen Annealing on Reduction of Leakage Current in Ultrathin Si/Ge/Si-On-Insulator Metal Source/Drain p-Channel MOSFETs

著者

和文:	S. Takagi, T. Uehara, S. Tanabe, H. Matsubara, 中根了昌, M. Takenaka, 菅原聡.
英文:	S. Takagi, T. Uehara, S. Tanabe, H. Matsubara, R. Nakane, M. Takenaka, S. Sugahara.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007)

巻, 号, ページ

p. 132

出版年月

2007年10月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	4th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007)

開催地

和文:
英文: