Effect of Annealing on (100) and (110) Oriented pseudo-GOI pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Effect of Annealing on (100) and (110) Oriented pseudo-GOI pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method

著者

和文:	S. Dissanayake, S. Tanabe, 菅原聡, M. Takenaka, S. Takagi.
英文:	S. Dissanayake, S. Tanabe, S. Sugahara, M. Takenaka, S. Takagi.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	The 5th Intl. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces -for Next Generation ULSI Process Integrations- (ISCSI-V)

巻, 号, ページ

pp. 233-234, paper OB3-3

出版年月

2007年11月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	The 5th Intl. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces -for Next Generation ULSI Process Integrations- (ISCSI-V)

開催地

和文:
英文: