Remarkable Increase in the Channel Mobility of SiC-MOSFETs by Controlling the Interfacial SiO2 Layer Between Al2O3 and SiC

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Remarkable Increase in the Channel Mobility of SiC-MOSFETs by Controlling the Interfacial SiO2 Layer Between Al2O3 and SiC

著者

和文:	畑山智裕, 日野史郎, 三浦成久, 大森達夫, 徳光永輔.
英文:	Tomohiro Hatayama, Shiro Hino, Naruhisa Miura, Tatsuo Oomori, Eisuke Tokumitsu.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	IEEE Transactions on Electron Devices

巻, 号, ページ

Vol. 55 No. 8 pp. 2041-2045

出版年月

2008年8月

出版者

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会議名称

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開催地

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DOI