GaInPカバー層を用いたInAs量子ドットの発光特性

論文・著書情報

タイトル

和文:	GaInPカバー層を用いたInAs量子ドットの発光特性
英文:	Emission characteristics of lnAs QDs with GaInP cover layer

著者

和文:	仙石知行, 鈴木亮一郎, 根本幸祐, 田辺悟, 小山二三夫, 宮本智之.
英文:	Tomoyuki Sengoku, Ryoichiro Suzuki, Kosuke Nemoto, Satoru Tanabe, FUMIO KOYAMA, Tomoyuki Miyamoto.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
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巻, 号, ページ

出版年月

2008年9月

出版者

和文:
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会議名称

和文:	第69回応用物理学会学術講演会
英文:	The 69th Autumn Meeting of The Japan Society of Applied Physics

開催地

和文:	愛知
英文:	Aichi