GaPNバッファ層を用いたGaP基板上InAs 量子ドット成長

論文・著書情報

タイトル

和文:	GaPNバッファ層を用いたGaP基板上InAs 量子ドット成長
英文:	Growth of InAs quantum dots on GaPN buffer on GaP substrate

著者

和文:	田辺悟, 鈴木亮一郎, 仙石知行, 根本幸祐, 小山二三夫, 宮本智之.
英文:	Satoru Tanabe, Ryoichiro Suzuki, Tomoyuki Sengoku, Kosuke Nemoto, Fumio Koyama, Tomoyuki Miyamoto.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
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巻, 号, ページ

出版年月

2009年3月

出版者

和文:
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会議名称

和文:	第56回応用物理学関連連合講演会
英文:	The 56th Spring Meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies

開催地

和文:	つくば
英文:	Tsukuba