Formation of Si- and Ge-based Full-Heusler Alloy Thin Films Using SOI and GOI Substrates for the Half-Metallic Source and Drain of Spin Transistors

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Formation of Si- and Ge-based Full-Heusler Alloy Thin Films Using SOI and GOI Substrates for the Half-Metallic Source and Drain of Spin Transistors

著者

和文:	高村陽太, 長浜陽平, 西島輝, 中根了昌, 菅原聡.
英文:	Y. Takamura, Y. Nagahama, A. Nishijima, R. Nakane, S. Sugahara.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME2008)

巻, 号, ページ

session E15-E23 paper 2480

出版年月

2008年10月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文:	Honolulu, USA