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論文・著書情報


タイトル
和文:化濃縮法で作成された超薄膜(110)面GOIp-MOSFETの電気的特性 
英文: 
著者
和文: Sanjeewa Dissanayake, 周藤悠介, 菅原聡, 竹中充, 高木信一.  
英文: Sanjeewa Dissanayake, 周藤悠介, SATOSHI SUGAHARA, 竹中充, 高木信一.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ         paper 2a-E-6
出版年月 2008年9月 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文:第69回応用物理学会学術講演会 
英文: 
開催地
和文:春日井, 愛知 
英文: 

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