MOVPE再成長ソースを有するIII-V族MOSFETの電流特性

論文・著書情報

タイトル

和文:	MOVPE再成長ソースを有するIII-V族MOSFETの電流特性
英文:	I-V characteristics of III-V MOSFET with MOVPE regrown source region

著者

和文:	金澤徹, 古屋一仁, 宮本恭幸, 齋藤尚史, 若林和也, 田島智宣.
英文:	Toru Kanazawa, KAZUHITO FURUYA, YASUYUKI MIYAMOTO, Hisashi Saito, kazuya wakabayashi, Tomonori Tajima.

言語

Japanese

掲載誌/書名

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巻, 号, ページ

出版年月

2009年3月

出版者

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会議名称

和文:	第56回応用物理学関係連合講演会
英文:	The 56th Spring Meeting, 2009; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies

開催地

和文:	茨城県つくば市
英文:	Tsukuba, Ibaraki