Post metallization annealing study in La2O3/Ge MOS structure

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Post metallization annealing study in La2O3/Ge MOS structure

著者

和文:	宋在烈, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋.
英文:	Jaeyeol Song, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, KAZUO TSUTSUI, Nobuyuki Sugii, takeo hattori, HIROSHI IWAI.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	INFOS2009

巻, 号, ページ

Vol. 86 pp. 1638-1641

出版年月

2009年6月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	INFOS2009, Microelectronic Engineering

開催地

和文:
英文:	Cambridege University, UK