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論文・著書情報


タイトル
和文:CSD 法によりSi およびYSZ 基板上に製膜したPb(Zr,Ti)O3 エピタキシャル薄膜のドメイン形成と電気特性に及ぼす応力の影響 
英文:Effect of Thermal Stress on Domain formation and Electrical Properties of Pb(Zr,Ti)O3 Epitaxial Thin Films deposited on Si and YSZ Substrate by the CSD method 
著者
和文: 高鉉龍, 脇谷尚樹, Jeffrey S. Cross, 櫻井修, 安田公一, 篠崎和夫.  
英文: H-Y. Go, N. Wakiya, J. S. Cross, osamu sakurai, K. Yasuda, K. Shinozaki.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文:第22回日本セラミックス協会 秋季シンポジウム講演予稿集 
英文:22nd Fall Meeting of The Ceramic Society of Japan 
巻, 号, ページ     No. 2.00E+24    pp. 128
出版年月 2009年9月 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文:第22回日本セラミックス協会 秋季シンポジウム 
英文:22nd Fall Meeting of The Ceramic Society of Japan 
開催地
和文:愛媛大学,愛媛 
英文: 
アブストラクト We investigated the orientation and substrate dependency of PZT thin films deposited upon (001), (110), (111) oriented SRO/buffer/Si and SRO/buffer/YSZ substrates. During the cooling process, thermal stress applied to PZT thin films by the difference of thermal expansion coefficients between the thin film and substrate, control the domain ratio and c/a values of the thin film, also relate to the electrical property. Due to the existence of adomain, which does not contribute to the polarization of tetragonal PZT, the order of the Pr values is (111)>(101)/(110)>(001)/(100). Furthermore, the Pr value of the PZT thin film on YSZ substrates is higher than that of PZT on Si substrate, because the higher thermal expansion coefficient of YSZ substrate than that of Si substrate makes larger c-domain ratio and higher c/a values.

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