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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Extremely high Be doped Ga0.47In0.53As growth by chemical beam epitaxy 
著者
和文: T. Uchida, K. Mise, 小山 二三夫, 伊賀 健一.  
英文: T. Uchida, K. Mise, Fumio Koyama, Kenichi Iga.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:J. Crystal Growth 
巻, 号, ページ vol. 105        pp. 366-370
出版年月 1990年9月 
出版者
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会議名称
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開催地
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英文: 

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