Electrical Properties of Lanthanum-scandate Gate Dielectric Directly Deposited on Ge

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Electrical Properties of Lanthanum-scandate Gate Dielectric Directly Deposited on Ge

著者

和文:	M.K.Bera, 宋在烈, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋.
英文:	M.K.Bera, Jaeyeol Song, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, KAZUO TSUTSUI, Nobuyuki Sugii, takeo hattori, HIROSHI IWAI.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

vol. 25 No. 6 pp. 67-77

出版年月

2009年10月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	ECS 216th Meeting

開催地

和文:
英文:	Vienna, Austria