Si基板上にバッファ層を導入してエピタキシャル成長させたPZT薄膜の残留応力と電気的特性に関する研究 | T2R2 東京科学大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	Si基板上にバッファ層を導入してエピタキシャル成長させたPZT薄膜の残留応力と電気的特性に関する研究
英文:

著者

和文:	藤戸啓輔.
英文:	keisuke fujito.

種別

種別:	学位論文(博士)
国名:	日本

言語

Japanese

学位授与組織

東京工業大学

報告番号

甲第6622号

学位授与日

2006/09/30

審査員

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