酸素添加がWゲートMOSデバイスの電気特性に与える影響

論文・著書情報

タイトル

和文:	酸素添加がWゲートMOSデバイスの電気特性に与える影響
英文:

著者

和文:	川那子高暢, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋.
英文:	Takamasa Kawanago, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, KENJI NATORI, takeo hattori, HIROSHI IWAI.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	第57回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
英文:

巻, 号, ページ

pp. 13-151

出版年月

2010年3月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	第57回応用物理学関係連合講演会
英文:

開催地

和文:	東海大学（神奈川県平塚市）
英文: