Potentially high breakdown field in β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> semiconductors

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Potentially high breakdown field in β-Ga₂O₃ semiconductors

著者

和文:	大島孝仁, 奥野剛也, 新井直樹, 鈴木悟仁, 大平重男, 藤田静雄.
英文:	Takayoshi Oshima, Takeya Okuno, Naoki Arai, Norihito Suzuki, Shigeo Ohira, Shizuo Fujita.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

TuB I-3

出版年月

2008年10月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	IEEE Nanotechnology Materials and Device Conference 2008

開催地

和文:
英文:	Kyoto, Japan