Er Inserted Ni Silicide Metal Source/Drain for Schottky MOSFETs

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Er Inserted Ni Silicide Metal Source/Drain for Schottky MOSFETs

著者

和文:	パールハットアヘメト, 細田亘, 野口浩平, 大石善久, 角嶋邦之, 筒井一生, 岩井洋.
英文:	Ahmet Parhat, Wataru Hosoda, unknown unknown, Yoshihisa Ohishi, Kuniyuki KAKUSHIMA, KAZUO TSUTSUI, HIROSHI IWAI.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2010年5月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	IEEE IWJT 2010 Extended Abstracts 2010 International Workshop on Junction Technology

開催地

和文:
英文:	Shanghai, China