Home >

news ヘルプ

論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Fabrication of vertical InGaAs channel MISFET with heterostructure launcher and undoped channel 
著者
和文: 齋藤 尚史, 宮本 恭幸, 古屋 一仁.  
英文: H. Saito, Y. Miyamoto, K. Furuya.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2009年10月 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文:Int. Symposium on Silicon Nano Devices in 2030 
開催地
和文: 
英文:Tokyo 

©2007 Institute of Science Tokyo All rights reserved.