ヘテロランチャと真性チャネルを有する縦型InGaAs-MOSFET

論文・著書情報

タイトル

和文:	ヘテロランチャと真性チャネルを有する縦型InGaAs-MOSFET
英文:	Vertical InGaAs-MOSFET with heterostructure launcher and intrinsic channel

著者

和文:	齋藤尚史, 楠崎智樹, 松本豊, 宮本恭幸, 古屋一仁.
英文:	Hisashi Saito, Tomoki Kususaki, Yutaka Matsumoto, YASUYUKI MIYAMOTO, KAZUHITO FURUYA.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

1456

出版年月

2009年3月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	第56回応用物理学会関係連合講演会
英文:	The 56th Spring Meeting, 2009; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies

開催地

和文:	茨城県つくば市
英文:	Ibaraki, Japan

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