Fabrication of Vertical InGaAs Channel Metal-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor with a 15-nm-wide Mesa Structure and a Drain Current Density of 7 MA/cm2

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Fabrication of Vertical InGaAs Channel Metal-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor with a 15-nm-wide Mesa Structure and a Drain Current Density of 7 MA/cm2

著者

和文:	齋藤尚史, 宮本恭幸, 古屋一仁.
英文:	H. Saito, Y. Miyamoto, K. Furuya.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Applied Phys. Exp.

巻, 号, ページ

vol. 3 no. 8 p. 084101

出版年月

2010年8月

出版者

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会議名称

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開催地

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