Submicron InP/InGaAs composite channel MOSFETs with selectively regrown n+-source/drain buried in channel undercut

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Submicron InP/InGaAs composite channel MOSFETs with selectively regrown n+-source/drain buried in channel undercut

著者

和文:	金澤徹, 若林和也, 齋藤尚史, 寺尾良輔, 田島智宣, 池田俊介, 宮本恭幸, 古屋一仁.
英文:	T. Kanazawa, K. Wakabayashi, H. Saito, R. Terao, T. Tajima, S. Ikeda, Y. Miyamoto, K. Furuya.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2010年6月

出版者

和文:
英文:

会議名称

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英文:	22nd Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials

開催地

和文:
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