Subgap states, doping and defect formation energies in amorphous oxide semiconductor a-InGaZnO4 studied by density functional theory

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Subgap states, doping and defect formation energies in amorphous oxide semiconductor a-InGaZnO4 studied by density functional theory

著者

和文:	神谷利夫, 野村研二, 細野秀雄.
英文:	Toshio Kamiya, Kenji Nomura, Hideo Hosono.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Phys. Status Solidi A

巻, 号, ページ

vol. 207 pp. 1698-1703

出版年月

2010年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

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DOI