Origin of high-density hole doping and anisotropic hole transport in a wide gap layered semiconductor LaCuOSe studied by first-principles calculations

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Origin of high-density hole doping and anisotropic hole transport in a wide gap layered semiconductor LaCuOSe studied by first-principles calculations

著者

和文:	平松秀典, 神谷利夫, 植田和茂, 平野正浩, 細野秀雄.
英文:	Hidenori Hiramatsu, Toshio Kamiya, Kazushige Ueda, Masahiro Hirano, Hideo Hosono.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Phys. Status Solidi A

巻, 号, ページ

vol. 207 pp. 1636–1641

出版年月

2010年

出版者

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会議名称

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開催地

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DOI