Extremely High Peak Current Densities of over 1×10<sup>6</sup> A/cm<sup>2</sup> in InP-Based InGaAs/AlAs Resonant Tunneling Diodes Grown by Metal–Organic Vapor-Phase Epitaxy

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Extremely High Peak Current Densities of over 1×10⁶ A/cm² in InP-Based InGaAs/AlAs Resonant Tunneling Diodes Grown by Metal–Organic Vapor-Phase Epitaxy

著者

和文:	H. Sugiyama, H. Yokoyama, 寺西豊志, 鈴木左文, 浅田雅洋.
英文:	H. Sugiyama, H. Yokoyama, A. Teranishi, S. Suzuki, M. Asada.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Jpn. J. Appl. Phys.

巻, 号, ページ

vol. 49 p. 051201

出版年月

2010年

出版者

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会議名称

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開催地

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