InP/InGaAs MOSFET with Back-Electrode Structure Bonded on Si Substrate Using a BCB Adhesive Layer

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	InP/InGaAs MOSFET with Back-Electrode Structure Bonded on Si Substrate Using a BCB Adhesive Layer

著者

和文:	金澤徹, 寺尾良輔, 山口裕太郎, 池田俊介, 米内義晴, 宮本恭幸.
英文:	Toru Kanazawa, Ryousuke Terao, Yuutarou Yamaguchi, Shunsuke Ikeda, Yosiharu Yonai, YASUYUKI MIYAMOTO.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

pp. 129-130

出版年月

2010年9月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2010 International Conference on Solid State Devices and Materials

開催地

和文:
英文:	Tokyo