Si/SiGe 量子ドット作製に向けたPd トップゲート動作点の低電圧化

論文・著書情報

タイトル

和文:	Si/SiGe 量子ドット作製に向けたPd トップゲート動作点の低電圧化
英文:

著者

和文:	福岡佑二, 小寺哲夫, 大塚朋廣, 武田健太, 小幡利顕, 吉田勝治, 澤野憲太郎, 内田建, 白木靖寛, 樽茶清悟, 小田俊理.
英文:	Yuji Fukuoka, Tetsuo Kodera, 大塚朋廣, 武田健太, 小幡利顕, 吉田勝治, 澤野憲太郎, Ken Uchida, 白木靖寛, 樽茶清悟, SHUNRI ODA.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

26p-KV-6

出版年月

2011年3月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	第58回応用物理学関係連合講演会
英文:

開催地

和文:	厚木市
英文: