Short-Channel Performance and Mobility Analysis of &lt;110&gt;- and &lt;100&gt;-Oriented Tri-Gate Nanowire MOSFETs with Raised Source/Drain Extensions

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Short-Channel Performance and Mobility Analysis of <110>- and <100>-Oriented Tri-Gate Nanowire MOSFETs with Raised Source/Drain Extensions

著者

和文:	M. Saitoh, Y. Nakabayashi, H. Itokawa, M. Murano, I. Mizushima, 内田建, T. Numata.
英文:	M. Saitoh, Y. Nakabayashi, H. Itokawa, M. Murano, I. Mizushima, K. Uchida, T. Numata.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

pp. 169

出版年月

2010年6月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	Symposium on VLSI Technology (VLSI Symp.)

開催地

和文:
英文:	Honolulu, HI, USA